第525章 分辨率10m 2 / 2
加热间满足预设求，旋转早已稳定，马娟拿滴管
错，化试验滴管，点儿高，高振东光刻机够。
滴管太确计量功，例毫升水概15滴，液体粘稠度确定话，滴管滴每滴液体体积基本致，换支滴管，正常滴管。
余光刻胶被旋转硅片给甩，旋涂优点。
马娟往旋转硅片滴光刻胶，光刻胶很快随旋转，沿硅片表匀，非常均匀，仿佛存。
托光刻胶硅片粘附性很福，否则光刻胶，遍衬底，加强光刻胶附。
硅片缓缓停止旋转，此，工件台再次始硅片进加热，固化光刻胶。
固化完，马娟始按电钮，调整工件台，将硅片置光系统合适位置。
虽高振东求东北光志搞160mm直径投影范围，考虑拉晶品率，及光系统畸变边缘原因，将硅片规格定130mm，概5英寸，原工艺，英寸硅晶圆计量单位。
早原始光刻机，高振东使却并原始接触式光刻，方式硅片掩模直接接触，分辨率比接近式高。
接触式光刻，硅片光刻胶或者别灰尘，污染损坏掩模，搞研究，搞批产太。
跨接触式光刻，使接近式光刻，实际光刻候硅片掩模间极距离，10μm数量级，避免掩模损坏。
坏处嘛，接近式光刻分辨率比接触式差，况，概2μm，高振东够。
使接近式光刻，掩模工件分，搞化光刻利，高振东将掩模放进光系统原因，掩模光系统基本，运工件台。
找平，工件台控制硅片向掩模接近，终达设计设定距离
次太仔细齐，因次刻，严格齐套刻，果套刻，需齐套刻标记。
接曝光、显影，听胶片机摄影差，实际原理基本致。
显影完毕，马娟始显微镜检查像质量，耗很长，估计眼睛花，终抬头，带喜色向高振东点点头。
次掩模，工艺测试标准掩模，，至少分辨率10μm问题。
“高师兄，测试，线宽10μm问题，很稳定。”
果像质量问题，将硅片取，洗光刻胶，准备头再。
头，硅片很贵，浪费，哪怕几十，硅片贵，洗，果问题工艺期光刻次，工艺贵啊！
高振东激，向点点头，示继续。
接按照正常集电路工艺，应该送其工序，根据光刻目，进诸蚀刻、掺杂、离注入、金属除等，测试光刻机分辨率套刻度，工序做，且法做，儿东西。
比蚀刻，简单，腐蚀，实际背靠整条比较特殊安全管理线，边建立条玩，搞麻烦，经常。
更别提掺杂需设备工序，更法做。
考虑显影，光刻胶剩需部分，试验员法，再次光刻胶，两次光刻显影结果重叠程度。
算笨办法，果况，旧光刻工艺残余物影响新次光刻胶附，导致试验效果话，再考虑光刻――送1274蚀刻――光刻试验流程。
光线宽10μm，其实光刻机制程10μm，因决定光刻机制程，其参数，其很重套刻度，正今高振东终测试东西。
凡做集电路，哪怕工艺简单PMOS，需套刻，因次光刻连晶体管做，更别形完整电路。
(本章完