第526章 咱们工人有力量 1 / 2

工件台次加热硅片,给工件做次坚膜,加固已经保留光刻胶,进步清除部分胶及其残留物。

坚膜完,硅片被再次始,二次光刻流程,块标准掩模。

显影完,二次光刻光刻胶被固化,余部分被清除,硅片被送显微镜

刚刚硅片表清晰显微图像跳,马娟语带欣喜声。

“师兄,高啊!”

马娟边瞄显微镜,边嘴

套刻度高点,高振东预计,决定套刻工件台,三轧厂帮老师傅神威,将工件台定位度搞

东北光系统图形畸变1μm两者结合,套刻度绝

估计归估计,真正结果,谁敢彻底

听见马娟话,高振东哈哈笑:“。”

马娟显微镜,高振东眼睛凑显微镜目镜外,显微镜甚至眼睫毛,明显观察睫毛,急往视场

显微镜,两次光刻痕迹非常明显,条叠,重合度非常高。

两次光刻痕迹,两边各露部分,部分单边宽度,基本套刻误差,粗粗,目测连整线宽

!太!马娟,选取典型点位,覆盖硅片,马比较全测量比较。”

另外试验员走马娟边找点,边测量,边记录。

淋漓尽致,马娟很快,等结果高振东等太慢

,试验计算机始将数据输入计算机,简单统计分析,直接源代码敲数据。

处理算法C代码早数组填数据已。

办法,处理算法根据需修改。

键盘声啪啪响,安定刚才测量结果差

数据输入完毕,马娟启编译-运指令。

算法简单,任何调试麻烦,很快,屏幕数字。

程序懂,怎简单怎数字甚至带任何单位

其实数点单位,r/>

料,数字跳候,高振东哈哈

“哈哈哈……!太!”

套刻度,已经超需,PMOS套刻次数少,其实严格,10μm分辨率,5μm套刻

,高振东直接宣布,代PMOS工艺集电路,线宽

线宽听,DJS-59原型,片金色C8008,它工艺10μm-PMOS!片芯片,晶体管数量

4Kbit(512Byte)DRAM,工艺8μm-NMOS,虽NMOS,NMOS才NMOS区别关方向相反,且NMOS关速度比PMOS快2.5倍左右。

61,PMOS慢点

两片芯片候,高振东法锁定兑换力,关系,句话,业初期,主打简单凑合,设计难度晶体管电路,其实基本C8008内高振东结构光刻掩模

力气活儿,高振东,太浪费京城工部分

原本高振东考虑光刻机敢太乐观,初期预计50μm左右,三轧厂老师傅东北光此给力,才SZ61XXX系列芯片头三片改

扎扎实实10μm望,乐死,先教半,再画图,字儿――值!

基础,,比――单片机。