第379章 PMOS 2 / 2
“全部？”两惊失色，怎？
高振东笑工艺简单概况给解释遍，两陷入“懂，受震撼”状态。
高振东解释：“PMOS技术虽新点，工艺简单，符合况。”
鲁工喜望，双极型晶体管半导体复杂工艺抠掉半脑袋头，觉今听消息，消息，高工才啊。
“高工，技术，几次光刻，几十步工序，完双极型半导体百步工序才完完？”
高振东笑：“技术展其实本，先进等复杂，先进技术简单难象。”
甚至超级土鳖，高振东。
高振东，两很相信，位话，基本落空。
“高工，太，需做什？”
高振东：“厂况，扩散炉吧？”
吕厂长点点头：“，基础产设备，很。”
“高温控度高？正负1摄氏度？”高振东问，度涉及扩散掺杂效果。
鲁工清楚：“，点差距，主传感器问题。”
K型热电偶，测温范围问题，度差少，2.5摄氏度或者千分7.5，度求差老远。
高振东，推荐B型热电偶，B型千分2.5误差差点思，且反应速度慢。
“加铂电阻吧，间接测量，辅助传感器，配合K型热电偶，加DJS-60D跑PID控制算法，应该控制住。”
铂电阻反应速度慢，算法段加某程度解决，铂电阻度远超需求，千分三摄氏度。
铂电阻问题测温范围问题，半导体产需1000摄氏度范围，超铂电阻测温范围，间接测量设计话，问题。
高振东拿铂电阻间接测量+K型热电偶直接测量办法，测准，测快，双剑合璧，敌。
知扩散炉怎解决问题，反正，解决。
扩散炉重，主很工序靠。
氧化、淀积、扩散、扩散-氧化，靠玩。
扩散-氧化本工艺，高振东选，因选择工艺叫做外延反应系统设备，麻烦。
高振东选择靠扩散炉完“热氧化法”。
高振东，给笔支持：“候边支持专门搞计算机控制热电偶应技术员，负责配合搞。”
鲁工放，高工兵强将亲支援，办。
高振东很，PMOS技术芯片制造阶段三核设备，光刻机，扩散炉，剩。
“吕厂长，真空蒸镀设备什况？”1274厂状东西，况容乐观。
吕厂长摇摇头：“，。”
真空蒸镀，真空条件蒸金属，工件表形金属镀层设备，芯片制造业，它升级版溅射设备。
溅射设备钽、铌等金属，它溅射特性，芯片内布线量使铝，直蒸。
蒸几，电阻加热，直接钨等金属电阻材料加热高纯铝，形金属蒸气，完蒸镀。
电束蒸，避免电阻加热坏处，比加热电阻与工艺氧化气氛接触，给蒸，甚至它被蒸金属反应，更难绷。
高振东：“搞电阻蒸镀机吧。”
电束蒸靠磁场准偏转电束打靶材进加热，先高电束源问题，磁场怎问题，永磁体，电磁场，条件问题。
反倒技术落电阻加热，更加，每项技术存，它理由。
反正什求很高制程，整集电路工艺高振东虽充满凑合、将思，阶段，差合适。
，1274厂两位，明显觉套工艺凑合或者将。
(本章完