第379章 PMOS 1 / 2
次性完，每句话，打断表点儿什见，利诺奇卡。
“煤油？煤油热值比酒高，啊哈，难原因？”
部长志才释。
并定找点什原因才让高兴，况单独算什，全部组合，少让惊讶。
更射程，更战斗部，等尺寸重量，明方定什知技术。
“部长志，试试P-15酒换煤油544导弹。
“噢，！基层达瓦氏抱怨，至少P-15换！已经习惯维护导弹，？”
，部长，非常体恤线基层志。
咱正毛旗兵，维护酒燃料！
“利诺奇卡志，果边什新消息，定早点告诉。顺便告诉卢比扬卡志，需付更努力！”部长志觉其哪，知哪>
老毛纠结，高振东并知，正纠结。
其实纠结，繁杂工艺选条合适路。
虽已经选定MOS技术，MOS技术PMOS（P沟MOS）、NMOS（N沟MOS）、CMOS（互补MOS）等等。
技术每工序，选择。
像搭积木，搭公园，搭法，正谓杀猪杀股，各各杀法。
MOS类，高振东倒什纠结，PMOS直接，早MOS技术，优点。
猜猜它什早？简单啊需五次光刻搞定。
P区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻，并每次光刻间加淀积或者氧化工序。
分别形P区、栅极、外接触孔、芯片内布线封装引焊点。
且，其掩膜需严格准套刻，二次栅光刻，其候准求高，让技术条件限，捉襟见肘高振东感很舒服。
抛封装，硅片布满品芯片核（DIE）半品，需12步工艺，，包括准备硅片步工艺。
甚至钝化步话，4次光刻足够，与相应工艺减少10步。
真简单，且材料求高。
需考虑引入三元素形氧化保护层氧、形栅极硼、形金属导线铝。
其铝考虑掺杂扩散问题，沉积。
某退休老头：真太玩儿
NMOSCMOS难度，比PMOS，PMOS别，至少做逻辑集电路问题，且，玩10μm制程做C8008，其实做更高制程问题。
选定PMOS，高振东很快工艺路线给确定。
步钝化，4次光刻，金属光刻完止。
至什选，因简单，且始做比较粗制程，程度够。
且，少步，本降。
先逻辑门电路拿，支撑住DJS-60D产，再搞更。
先解决，再解决。
选定，抄书，快，高振东花午飞快书抄完，二电话打给已经点儿望眼穿1274厂。
，吕厂长鲁工带联袂至，等呢。
高振东给工艺设计指导文件，两点懵，玩比原，怎变薄？
先进技术，必定复杂，旦复杂，资料很厚，。
“高工，工艺先部分部分做，期做？”鲁工问。
高振东头雾水，什候部分部分做：“啊，全部。”