第162章 难以想象的困难 1 / 2
“陈博士，真吗？”
工业界很理论方案，具体落程难克服困难，理论落很十万八千距离。
更何况做完全零工，摸石头河，知河底深，需做什准备，参照物探索条新河流，其困难难估计。
陈元光见刚刚文梁孟松，直视方，目光坚毅：“定。”
陈元光再解释什，喜欢结果话，理论性已经解释遍。
梁孟松被外界认整华懂芯片制造，认芯片远超象敏锐嗅觉，芯际内部斗争败阵很长段间，芯际内属职位实权闲。
帕特纠正方错误，式光刻机浸润式光刻机，仅ASML配合，蔡司需配合，需重新设计物镜。
硅片拓扑半金属，涉及整芯片产工艺基石更替，它非常困难件，虽术界直做尝试，希望够通新材料突破硅极限量隧效应，太难。
华，7nm旗舰机型mate60仅赚，且赚。
拓扑半金属替代硅片，相信技术方案，华依赖外供应商，搞定切，相信。
“十。”奇。
因此针拓扑半金属，完全适配耗材工艺。
更重陈元光并办法力放项目，哪怕梁孟松见数候，私约方非常难。
帕特表演番，让华盛顿方安，结果帮老爷居真做准备：
“果拓扑半金属真，华做工艺替代少需少间？”
因此它几乎或缺部分。
华绝通全新材料绕光刻机限制，芯片推进1nm工艺制程。”
“认候，已经突破1nm限制？”
很解莱特博士，MIT次术议见次，术非凡洞察力非常缜密逻辑思考力。
“应该，拓扑半金属很长技术演化历史，它很早被提，实突破很正常，莱特博士本身材料太值提果。
因色履历，梁孟松被派712工程负责芯片制造方工。
“认拓扑半金属真吗？”
接任务非常感兴趣，直技术狂热者，更别像拓扑半金属存传材料，实，几乎半点犹豫接任务。
“，绝。
经验失效，项目各环节研究员逐渐变浮躁，陈元光光环条件信任消散，梁孟松感觉态失控，内安堆积。
申海微电28nm全产光刻机20喊付，2024见付功，吗？”
“错，式浸润式相容易，光源硅片间加水，程度很弱优化，华通拓扑半金属替代掉硅片。
整712工程项目组分散全各，毕竟芯片设计鹏城，工艺制造鹏城、申海江城，供应商更分散全各。
，神。”
硅片表平坦仅带电路短路问题，造光刻程法准确焦，导致线宽控制失效。
直华打算全新工艺，28nm双重曝光技术做7nm工艺制程芯片，梁孟松芯际内部波云诡谲斗争脱身，始项目实际负责方。
让硅谷重新世界芯片制造丰功伟绩，像，英特尔先进芯片产居依赖台积电。
“许拓扑半金属需化研磨？”
外界猜测，华7nm芯片靠牺牲良品率获工艺，并损失少良品率，远外界认50%70%良品率夸张。
哪怕理论性，放弃机。
，做远远比斗争容易。
优化形容够，彻底绕芯片制造工艺体系，难度比式浸润式，间难度量级。
因论短期长期，ASML先进工艺制程光刻机给。
化机械研磨芯片制造关键工艺流程，它通机械研磨液实硅片表平坦，避免硅片表伏导致电阻值引电路短路。
“光源，续堆工艺等改进呢。
由工艺共研，芯享受收益非常限，法通7nm工艺突破实超额收益。
者难度比掌电脑智机间渡，者则智机元宇宙。”
仅因华官方，华官方力配合。
认莱特靠单枪匹马做切。
梁孟松完飞回申海推进续具体工。
实进展顺利让逐渐感安，真花两间搞定全新工艺吗？知全新工艺，谓拓扑半金属光敏感性光刻胶光敏感性存很差异。
言，够参与项目，续管跳槽继续，值书特书功经验。