第370章 MOS 1 / 2
60高考，查分，反正考完，等结果，录取通知书概8月始。
且娄晓娥况，头批铁定录取，间更往点，批特点“录取机密专业”。
娄晓娥高振东两并急，该嘛嘛，高振东班，娄晓娥持务>
办公室，高振东正思考1274厂。
由技术展原因，候MOS（金属-氧化物-半导体）技术并完全形厂集电路工艺，走58提PN结隔离双极型半导体路，1274厂身力极限，甚至已经点超极限。
让高振东陷入纠结，继续让1274厂走双极型半导体，脆直接MOS技术？
两者间并完全替代关系，甚至双极型半导体比MOS半导体，少方明显优势。
比三级管关速度更快，达频率更高，设计阶段本更低，内部元件度更高等等。
高振东，计算机技术方向挥更、具更潜力半导体技术。
即使集电路阶段超型组装、膜集电路等其路线，高振东考虑路线，路线其特殊途，并途，计算机方向，它预见间段内，任何途。
唯问题阶段，双极型？跨步，直接考虑MOS？
双极型集逻辑门电路方，阶段其优势。
思，高振东决定跨步，走
双极型速度更快，候再快快哪，其技术支撑，计算机，早期MOS达数十MHz速度已经完全足够代8028620MHz，60代，双极型更快关速度高振东需求，并什义。
双极型内部元件度虽高，数字电路，满足规定条件完预状态转移即，元件度高并什处，模拟电路，求相。
再，双极型元件度高，相MOS，真实差距甚至连五十步笑百步算。
集电路设计阶段本低，阶段伪命题，力本候怎算毛病某芯片旦定型，修改困难，修改本很高。
高振东做，根本问题。
规模使芯片，论逻辑门集电路CPU、DRAM，定型随便修改，量量产东西，点方根本问题。
重点，高振东清楚知，打CPU半导体存储器始，双极型什儿，双极型做集逻辑门电路错，做CPU半导体存储器，根本。
或者，方，技术经济角度，青睐双极型半导体
首4Kbit
首16Kbit
名鼎鼎
彻底巩固Intel数十基业
至什约应方向选择MOS技术，MOS优点。
玩工艺简单！比双极型简单，星半点！
抛复杂技术原理等等，简单结，PMOS双扩散外延双极型例，达差效果，两者工艺差别非常巨外延次数1次，工艺步数45步，高温工艺2步，光刻5次。
双扩散外延双极型数字，分别4次、130步、10步、8次。
工序更少、工艺更简单、良品率更高
量产，特钱呐！
且高振东，工艺步数越少，味功率越高。
两者基础技术实际差，区别晶体管工原理，阶段技术难度，高振东知识搬运工，更晚、更先进MOS甚至比双极型低技术非常逆、非常反直觉方。